原文服务方: 电工材料       
摘要:
ZnO是一种很有前途的宽带隙半导体材料,在光电器件的应用上,实现高质量的p型掺杂是其关键所在.迄今,已有大量p型掺杂ZnO薄膜的研究报道,但是要获得高质量的可重复的p型ZnO薄膜却十分困难.本文就p型ZnO薄膜的掺杂最新研究进展进行了详细论述,并展望了其制备前景.
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文献信息
篇名 p型ZnO薄膜的研究新进展
来源期刊 电工材料 学科
关键词 ZnO p型掺杂 共掺杂
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 综述·动态
研究方向 页码范围 38-42
页数 5页 分类号 TM205.1
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-8887.2008.02.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李瑜煜 广东工业大学材料与能源学院 35 193 8.0 12.0
2 李书要 广东工业大学材料与能源学院 1 1 1.0 1.0
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2008(1)
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO
p型掺杂
共掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电工材料
双月刊
1671-8887
45-1288/TG
大16开
1973-01-01
chi
出版文献量(篇)
1336
总下载数(次)
0
总被引数(次)
5113
论文1v1指导