半导体硅重构表面及其相变动力学的研究进展

• 作者: 刘邦贵 徐野川
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体 表面重构 相变 硅
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 628-630
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2008.09.003

摘要

简单介绍了文章作者在半导体硅重构表面及其相变动力学研究方面的进展.近期si(111)(7×7)-(1×1)相变的实验研究发现,将温度升高到相变温度以上时,7×7岛面积以恒定的衰减速率随时间减小至零,且初始面积越大的岛这个衰减速率就越大.文章作者分析了大量的实验事实,由此提出了一个双速相场模型来解释这个重要而令人困惑的现象.模型重点是:在相变过程中,7×7关键结构变化较快,随后的层错消解过程要慢得多.这个模型完美地解释了相关实验现象,说明该模型抓住了关键物理要素,这种相场方法也可以用于其他半导体表面相变研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘邦贵	中国科学院物理研究所	6	33	3.0	5.0
2	徐野川	中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0