MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

• 作者: 刘宗顺 孙宝娟 张书明 朱建军 杨辉 梁骏吾 段瑞飞 江德生 王玉田 赵德刚 马志芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X射线漫散射 GaN 缺陷团
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1242-1245
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.002

摘要

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.