包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型

• 作者: 曹娜 谢姝 郑国祥 龚大卫
• 来源期刊: 复旦学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 器件结构 高压LDMOS 负阻效应 子电路模型
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TN403
• 字数: 2579字
• 语种: 中文

摘要

高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.为有效表征这一特性,使用标准器件建立子电路模型,通过合适的器件选择和参数设置来模拟负阻效应.同时,根据不同沟道区域的饱和原理,采用不同的模型与参数进行模拟,使子电路适用于不同栅压和漏压.子电路具有精确的模拟性能,在电路模拟中,可以作为一个黑匣子直接调用,克服传统BSIM3模型模拟上的不足.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑国祥	复旦大学材料科学系	24	138	6.0	10.0
2	谢姝	复旦大学材料科学系	1	3	1.0	1.0
3	曹娜	复旦大学材料科学系	2	5	2.0	2.0
4	龚大卫		1	3	1.0	1.0