镍对冶金法制备多晶硅电学性能的影响

• 作者: 张伟娜 许富民 谭毅
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 冶金法 电阻率 金属硅化物
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 473-477
• 页数: 5页
• 分类号: TB303
• 字数: 2670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.016

摘要

电阻率是多晶硅材料最重要的参数之一, 通过高温扩散镍杂质到多晶硅中, 利用四探针电阻测试仪、金相显微镜、扫描电镜(SEM)、电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)、能谱分析(EDS), X射线衍射仪(XRD)等设备, 研究了镍对多晶硅电阻率的影响及机制.研究结果表明: 镍杂质使N型多晶硅电阻率增加, 使P型多晶硅电阻率减小;高温冷却后, 大量的镍与硅形成NiSi2析出相在多晶硅表面析出, 并对硅中的铁有吸附作用, 由于铁含量少而形成Fe0.42Si2.67新相且在表面析出, 这些硅化物会引起电阻率的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许富民	三束材料改性国家重点实验室大连理工大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
2	谭毅	三束材料改性国家重点实验室大连理工大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
3	张伟娜	三束材料改性国家重点实验室大连理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0