硅光电二极管标定新技术

• 作者: 周蓉生 张少华 袁永刚 雷家荣 魏熙烨
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅光电二极管 耗尽层 钝化层 标定技术 光子注量
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 352-355
• 页数: 4页
• 分类号: O59
• 字数: 3045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.05.008

摘要

设计了-个以钝化层厚度和耗尽层厚度为参数的简单模型,描述硅光电二极管的工作原理.在137Cs-661kev的均匀高能γ场中,对AXUV-100G型硅光电二极管进行标定.并且将试验标定曲线与国外标定曲线进行对比,分析后发现用这种方法标定的探测器精度与国外标定精度接近.同时推导出利用这种半导体探测器测量低能X射线光子注量的计算公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周蓉生	成都理工大学核资源与自动化工程学院	68	865	16.0	25.0
2	袁永刚		2	1	1.0	1.0
3	张少华	成都理工大学核资源与自动化工程学院	2	3	1.0	1.0
7	雷家荣		1	1	1.0	1.0
8	魏熙烨		1	1	1.0	1.0