刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响

• 作者: 刘军林 张萍 江风益 郑畅达
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 蓝光LED GaN Si衬底 快速老化 刻蚀 静电
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 563-565
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.031

摘要

在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江风益	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
2	张萍	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	14	89	4.0	9.0
3	郑畅达	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	9	51	5.0	7.0
4	刘军林	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	10	71	4.0	8.0