稀土氧化物对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响

• 作者: 成鹏飞 朱斌 李盛涛 王玉平
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 稀土氧化物 晶粒尺寸 电气性能
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TM28
• 字数: 3280字
• 语种: 中文

摘要

研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为O～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3,后晶粒尺寸最小,为6.2μm.ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性.掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,ElmA达到了427.5V/mm,改善了ZnO压敏陶瓷的电气性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱斌		9	62	4.0	7.0
2	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
4	王玉平		23	187	8.0	13.0
5	成鹏飞		31	172	8.0	12.0