Si损伤缺陷分析与解决方案

• 作者: 朱晨靓 程秀兰 陈武佳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体制造 浅沟道隔离 湿法刻蚀 硅损伤
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 791-792
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 1472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.015

摘要

在半导体制造工艺流程中,浅沟道隔离(STI)工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题.由于Si损伤的存在,造成5%-10%的良率损失,同时,严重影响产品的可靠性.分析了Si损伤缺陷的形成机理,并通过合理的实验设计和分析,给出了具体的解决方案.通过工艺制程的改良,既解决了Si损伤缺陷,节省了晶圆加工的时间,也减少了表面尘粒粘污.这个新工艺已经在中芯国际8厂得到了验证,对产品的电性能没有影响,同时,产品的量率还提高了5%-10%,已正式投入使用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0