电化学合成聚硅烷的反应速率

• 作者: 任慕苏 吴市 周春节 孙晋良 张家宝 张峰君 潘健峰 钱林 陈来
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 化学
• 关键词: 聚硅烷 电化学合成 反应速率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 273-276
• 页数: 4页
• 分类号: O634.4+1
• 字数: 2658字
• 语种: 中文

摘要

采用电化学法,合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷,通过FT-IR,UV,1H NMR表征其结构.分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si-Cl键含量的变化,以及加入引发剂蒽对反应速率的影响.结果表明:含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷,相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si-Cl键含量比不含双键聚硅烷少10%～15%;在电化学合成聚硅烷的过程中,单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例;引发剂蒽的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率.本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测.