NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展

• 作者: 严辉 侯育冬 朱满康 胡翰宸
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 (Na1/2Bi1/2)TiO3-(K1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3 综述 无铅压电陶瓷 压电性能 退极化现象
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TM22
• 字数: 3871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.08.001

摘要

从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT- KBT- BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望.研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具有高的退极化温度.今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT- KBT- BT体系的压电性能和退极化行为的作用,三元系陶瓷粉体烧结活性的提高以及新型陶瓷制备技术,如晶粒定向陶瓷制备工艺等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料学院	178	1225	16.0	29.0
2	朱满康	北京工业大学材料学院	73	372	11.0	15.0
3	侯育冬	北京工业大学材料学院	49	195	9.0	11.0
4	胡翰宸	北京工业大学材料学院	1	11	1.0	1.0