基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量

• 作者: 李向军 李雅卓 洪治
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹时域光谱技术 Fabry-Perot效应 光学材料参数
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1074-1076,1099
• 页数: 4页
• 分类号: TN307
• 字数: 2496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.007

摘要

根据太赫兹时域光谱系统(TDS)的测量原理,提出了一个考虑F-P效应的半导体材料参数测量方案.利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度.另外,考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高,提出了一种有效的厚度优化方法.以GaAs为待测样品,利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱.并采用返波振荡器(BWO)作为太赫兹辐射源对相同样品进行测量,有效的验证了使用TDS系统对半导体材料参数测量的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向军	中国计量学院太赫兹技术与应用研究所	21	112	7.0	9.0
2	洪治	中国计量学院太赫兹技术与应用研究所	43	225	9.0	13.0
3	李雅卓	中国计量学院太赫兹技术与应用研究所	2	13	2.0	2.0