6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究

• 作者: 李连碧 李青民 杨莺 林涛 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学气相沉积 异质外延 透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 936-939
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.025

摘要

以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-siC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0.4362nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	林涛	西安理工大学电子工程系	18	40	4.0	5.0
3	杨莺	西安理工大学电子工程系	11	48	5.0	6.0
4	李连碧	西安理工大学电子工程系	9	19	3.0	3.0
5	李青民	西安理工大学电子工程系	4	7	1.0	2.0