Si-B-Bi-O系钛酸锶陶瓷烧结及其介电性能的研究

• 作者: 刘冠芳 周芳 李晓力 杜商安
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 钛酸锶 Si-B-Bi-O 陶瓷 介电性能
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TM28
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2008.05.011

摘要

研究了SiO2-B2O3-Bi2O3加入量、烧结温度对钛酸锶陶瓷电容器材料性能的影响.借助扫描电镜和宽频介电仪研究陶瓷的烧结过程及其介电性能.结果表明:SrTiO3和(Si,B,Bi)摩尔比为75:25,(Si,B,Bi)摩尔比为15:30:55的样品在1 250℃烧成表现出良好的高频介电性能,介电常数为355,介质损耗角正切值低于5×10-4.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘冠芳	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	6	43	5.0	6.0
2	周芳	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	9	58	5.0	7.0
3	李晓力	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	8	1.0	2.0
4	杜商安	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	3	21	2.0	3.0