脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究

• 作者: 卢景霄 张丽伟 张松青 赵新蕖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si薄膜 脉冲快速光热退火 拉曼光谱 扫描电子显微镜
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 285-288
• 页数: 4页
• 分类号: TN3104
• 字数: 2536字
• 语种: 中文

摘要

用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜.采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(＜650℃)和中温(＜750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理.用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌.结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53%,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右.用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张松青		46	85	4.0	7.0
2	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	张丽伟		15	55	5.0	6.0
4	赵新蕖		12	29	3.0	5.0