基于温度补偿的1V CMOS电流基准源

• 作者: 徐俊平 朱冬勇 朱文举 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 零温度系数 温度补偿 超低压 互补型金属氧化物晶体管 电流基准
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 339-342
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.04.017

摘要

利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源.使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点.在1 V工作电压,TSMC 0.25μm CMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20～120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10-6,功耗为53.5μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	朱冬勇	西安电子科技大学微电子研究所	3	8	2.0	2.0
4	朱文举	西安电子科技大学微电子研究所	5	10	2.0	3.0
5	徐俊平	西安电子科技大学微电子研究所	2	5	2.0	2.0