P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计

• 作者: 余金中 李成 林桂江 赖虹凯 邓和清 陈松岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 张应变 锗硅量子阱 红外探测器
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 785-788
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2076字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.033

摘要

提出P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k·P方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此P型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与P型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计.