MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO 性质的影响

• 作者: 刘伟 刘少波 刘雪冬 单正平 叶建东 张荣 朱光耀 朱顺明 李峰 汤琨 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 载气 金属有机源化学气相沉积 离化
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 441-446
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3518字
• 语种: 中文

摘要

采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO.实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气.采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量.采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光.XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向.目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径.