裂解升温速率对C/C-SiC复合材料性能的影响研究

• 作者: 张智 郝志彪 闫联生
• 来源期刊: 炭素技术
• 学科: 工学
• 关键词: C/C-SiC复合材料 裂解升温速率 PIP工艺 力学性能 抗氧化性能
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 3353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3741.2008.04.009

摘要

以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,采用先驱体浸渍裂解(PIP)工艺制备了C/C-SiC复合材料,研究了先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学和抗氧化性能的影响.结果表明:以较低的裂解升温速率制备的C/C-SiC复合材料的力学和抗氧化性能较好.采用20℃/h裂解升温速率制得的C/C-SiC复合材料的弯曲强度达278 MPa,在1400℃氧化2 h后,失重率为3.1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫联生		43	274	10.0	15.0
2	张智		5	65	2.0	5.0
3	郝志彪		22	173	7.0	12.0