电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究

• 作者: 刘旭 吴亚明 沈伟东 章岳光 顾培夫
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 阳极键合 玻璃薄膜 电子束蒸发 键合强度
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 143-147
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2351字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种用电子束蒸发Schott 8329玻璃薄膜作为中间层,实现硅-硅以及硅-SOI阳极键合的方法.调整蒸发时的工艺并且450℃退火,沉积了粗糙度9.62 nm、初始应力139 MPa、喷点较少的薄膜,从而获得了＞95%的键合面积.键合电压20 V,温度300℃～500℃下硅-硅的键合强度可达1.47 J/m2,同时分析了键合电流特性.400℃,40V下键合了Si和SIMOX SOI硅片,用TMAH溶液进行基底减薄,获得了厚介质层薄顶层硅结构,这为一些MEMS器件的制作奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈伟东	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	39	296	8.0	16.0
2	顾培夫	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	141	1761	23.0	34.0
3	刘旭	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	214	1718	22.0	32.0
4	章岳光	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	40	424	12.0	20.0
5	吴亚明	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	35	193	9.0	11.0