不同波长激光对半导体Si表面的损伤机制

• 作者: 刘烨 周新玲
• 来源期刊: 上海工程技术大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光吸收系数 损伤机制 热应力
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 104-108
• 页数: 5页
• 分类号: O434.14
• 字数: 2449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-444X.2008.02.002

摘要

为了研究不同激光对半导体Si表面的损伤机制,实验中采用扫描电镜记录1064 nm激光和248 nm激光对单晶Si材料的表面损伤.通过比较,发现在紫外光辐照下Si表面熔融效应明显并且出现了清晰的周期性条纹.经分析认为表面损伤主要是热应力、激光自持爆轰波的冲击压力和蒸发波的反冲力所导致,损伤形貌的差异则源于材料对不同激光的吸收系数有显著差别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周新玲	山东师范大学物理与电子科学学院	4	16	2.0	4.0
2	刘烨	上海工程技术大学基础教学学院	19	11	2.0	2.0