4～8 GHz GaAs HBT单片双平衡混频器

• 作者: 张健 张海英 李志强 陈普峰 陈立强
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs HBT 混频器 阻抗匹配 带宽扩展
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1120-1123
• 页数: 4页
• 分类号: TN1250|TN6420
• 字数: 2794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.013

摘要

介绍了一种基于 GaAs HBT 的双平衡混频器.该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配.跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦.测量结果显示,该混频器匹配良好,射频端口S11在3～10 GHz频带内小于-10 dB.在固定中频200 MHz 情况下测试,在4～8 GHz射频频带内,平均增益10 dB,波动小于1 dB,中频输出端口对射频信号的隔离度优于25 dB,对本振信号的隔离度优于28 dB;本振-射频端口隔离度优于32 dB.在3.3 V直流电压下测得的功耗为66 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院微电子研究所	272	3714	30.0	51.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	李志强	中国科学院微电子研究所	53	335	11.0	15.0
4	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
5	陈普峰	中国科学院微电子研究所	5	13	3.0	3.0