GaN发光二极管表观电阻极值分析

• 作者: 游开明 肖德涛 袁红志 谭延亮 陈列尊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN发光二极管 表现电阻 正向交流(ac)小信号方法 I-V特性曲线
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 337-341
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|TN312.8
• 字数: 2626字
• 语种: 中文

摘要

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象.利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量,表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点.通过对相关文献分析,提出负电容现象的根本原因是在较高的正偏下微分电容dQdU＜0;推论出pn结的微分电容先随正向偏压的增大而急剧增大,当出现复合发光后随正向偏压的增大而减小,直到随正向偏压的增大而出现负值;正向偏置电压较大时,结电导电流的变化率根据I-V特性曲线取极大值,此时微分电容由于强复合效应已快速变小,表观电阻有极大值;得到了表观电阻极大值表达式.表观电阻与正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游开明	衡阳师范学院物电系	80	210	8.0	10.0
2	肖德涛	南华大学核科学技术学院	143	607	12.0	16.0
3	陈列尊	衡阳师范学院物电系	77	174	6.0	9.0
4	谭延亮	衡阳师范学院物电系	37	75	5.0	6.0
8	袁红志		18	34	3.0	5.0