单分散性CdSe纳米晶的合成——成核及其生长过程

• 作者: 宋艳立 戴全钦 李冬妹 王英楠 聂延光 路红亮 邹勃 邹广田 阚世海 陈海勇 高世勇
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: CdSe纳米晶 半导体纳米晶 成核 晶体生长
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: O521.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2008.01.003

摘要

在氩气保护下,用三辛基亚磷酸和油酸分别作为Se和Cd的配位体,在260～300℃的十八烯溶液中合成了尺寸可控的CdSe纳米晶.该纳米晶不用进行进一步的提纯和尺寸分离就具有单分散性,其量子尺寸限域效应非常明显--吸收光谱的第一吸收蜂峰位随着纳米晶的长大而发生红移;该纳米品质量很高,具有很强的发光能力,其发射光谱对称的形状和合理的Stokes频移(13 nm)显示,该纳米晶的发光完全出自带隙,没有来自缺陷的发光.此外,实验结果表明,通过改变三辛基亚磷酸的浓度可以调节成核和生长的快慢,从而可以在不同的反应时间得到不同尺寸的单分散性CdSe纳米晶.