基于SRAM的FPGA的互连时延模型

• 作者: 唐璞山 王伶俐 王怡 童家榕 韩若楠
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS管 等效电容 MOS-C电路
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TN47
• 字数: 4127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2008.03.012

摘要

本文提出现场可编程门阵列FPGA中的互连资源MOS传输管时延模型.首先从阶跃信号推导出适合50%时延的等效电阻模型,然后在斜坡输入的时候,给出斜坡输入时的时延模型,并且给出等效电容的计算方法.结果表明,本文提出的时延模型快速并且足够精确.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	童家榕	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	56	284	9.0	13.0
2	王怡	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	126	1246	18.0	28.0
3	唐璞山	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	36	143	7.0	9.0
4	王伶俐	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	33	124	6.0	9.0
5	韩若楠	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	9	2.0	2.0