关于LED单灯正向电压VF不良的探讨

• 作者: 斯芳虎
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 正向电压 外延层 欧姆接触 电流扩展 金属有机化合物气相淀积 PN结
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.01.004

摘要

文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施.对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大.对于GaAS基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金(N-electrode)与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高.LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的Ⅰ-Ⅴ特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	斯芳虎		4	23	2.0	4.0