超高压成型对碳化硅陶瓷微观结构的影响

• 作者: 宋春军 徐光亮 李冬梅 熊昆
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 碳化硅 超高压成型 无压烧结 微观结构
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 粉体加工与处理
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75+8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2008.05.008

摘要

以两面顶为成型设备.利用其超高压力(4.5GPa)采提高素坯的相对致密度,从而降低坯体的烧结温度、缩短烧结时间.并制备出高致密度的细晶碳化硅陶瓷.结果表明,经超高压成型后,碳化硅素坯的平均相对致密度为65.7%.与冷等静压成型后的坯体(45.5%)相比,提高了大约20%.在低压流动氯气保护下,超高压成型的坯体于1 900℃下无压烧结30min,烧结体的致密度达到了98.3%,其晶粒尺寸在200nm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐光亮	西南科技大学材料科学与工程学院	101	1024	16.0	27.0
2	李冬梅	西南科技大学材料科学与工程学院	6	108	5.0	6.0
3	宋春军	西南科技大学材料科学与工程学院	6	14	2.0	3.0
7	熊昆	西南科技大学材料科学与工程学院	5	39	3.0	5.0