微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性

• 作者: 朱大鹏 林小芹 罗乐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnAg 凸点 金属间化合物 孔洞 可靠性 多次回流
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 168-173
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 2559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.032

摘要

用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点.芯片内凸点的高度一致性约1.42%,Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%,Ag元素在凸点中分布均匀.研究了不同回流次数下SnAg/Cu的界面反应和孔洞形成机理,及其对凸点连接可靠性的影响.回流过程中SnAg与Cu之间Cu6Sn5相的生长与奥氏熟化过程相似.SnAg/Cu6Sn5界面中孔洞形成的主要原因是相转变过程中发生的体积缩减.凸点的剪切强度随着回流次数的增多而增大,且多次回流后SnAg/Cu界面仍然结合牢固.Cu6Sn5/Cu平直界面中形成的孔洞对凸点的长期可靠性构成威胁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗乐	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	42	263	9.0	14.0
2	林小芹	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	8	2.0	2.0
6	朱大鹏	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	7	2.0	2.0