980 nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析

• 作者: 宁永强 梁雪梅 王祥鹏 王立军 盛阳 秦莉 程立文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 垂直外腔面发射激光器 光抽运 量子阱 理论模拟
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 713-717
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2940字
• 语种: 中文

摘要

光抽运半导体垂直外腔面发射激光器(Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity Surface Emission Laser)的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为重要.设计了一种以808 nm二极管激光耦合模块为光抽运光源,In0.159Ga0.841As/GaAs0.94P0.06为增益介质的980 nm光抽运垂直外腔面发射激光器,并借助于PICS3D软件计算了器件各种特性参数.分析了芯片半径、量子阱的周期数以及外腔镜反射率对器件性能的影响,特别是对阈值和光-光转换效率的影响.模拟结果表明,器件的半径影响光-光转换效率.量子阱个数和外腔镜反射率对器件的输出功率和光-光转换效率都有影响,所以要根据实际需要,设计、生长结构和进行实验.