加速器热中子照相装置CCD芯片屏蔽的模拟计算

• 作者: 唐国有 胥建国 邹宇斌 郭之虞 郭利安 郭纪美
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 加速器中子源 CCD芯片 屏蔽 模拟计算 吸收剂量率
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 583-586
• 页数: 4页
• 分类号: O571
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.08.005

摘要

建立了研究加速器中子源热中子照相装置CCD芯片屏蔽效果的蒙特卡罗模拟方法,对γ与中子吸收剂量率的模拟计算结果与实验相符.进行了基于9Be(d,n)反应的热中子照相装置屏蔽系统的优化设计,在复杂几何条件下用蒙特卡罗模拟分别计算了CCD芯片在中子、γ混合场中的吸收剂量率和快中子注量率,对CCD相机在辐射场中安全性能进行了评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹宇斌	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	7	59	4.0	7.0
2	唐国有	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	17	128	5.0	11.0
3	胥建国	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	3	35	3.0	3.0
4	郭利安	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
5	郭之虞	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	24	239	8.0	15.0
6	郭纪美	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	3	29	2.0	3.0