面向384×288面阵型红外读出电路的低功耗设计

• 作者: 刘丹 吉利久 赵宝瑛 陈中建 鲁文高
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: IR ROIC QSBDI IWR ITR 低功耗 窗口
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 93-98
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 846字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.017

摘要

介绍了一种面向384×288 CMOS面阵性红外读出电路的低功耗设计.针对探测器的特点(输出阻抗约100kΩ,积分电流约100nA),新提出并实现了一种四像素共用BDI的QSBDI(Quad-share BDI)像素结构.在QSBDI结构中,4个相邻的像素共用一个反馈放大器,从而实现了高注入效率、稳定的偏置、较好的FPN特性和低功耗.另外该384×288读出电路还支持积分然后读出、积分同时读出功能,还有两个可选择的增益以及4种窗口读出模式.128×128的测试读出电路已完成设计、加工和测试.电路使用CSMC0.5μm DPTM工艺流片,测试结果表明在每个子阵列输出的峰峰差异仅为10mV.在4MHz的工作频率下,像素级引入的功耗仅为1mW,芯片的整体功耗也只有37mW,实现了低功耗设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丹	北京大学微电子学系	93	447	11.0	16.0
2	吉利久	北京大学微电子学系	47	298	11.0	15.0
3	鲁文高	北京大学微电子学系	17	80	5.0	8.0
4	陈中建	北京大学微电子学系	22	104	6.0	9.0
5	赵宝瑛	北京大学微电子学系	13	80	5.0	8.0