动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响

• 作者: 何玉娟 刘远 师谦 恩云飞 李斌 章晓文 罗宏伟
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线 总剂量辐射 辐射偏置 频率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 3084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.01.005

摘要

辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响.实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	章晓文		6	47	5.0	6.0
3	何玉娟		9	51	4.0	7.0
4	罗宏伟		12	65	5.0	7.0
5	恩云飞		12	57	5.0	7.0
6	师谦		11	64	5.0	8.0