激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的PL发光

• 作者: 刘世荣 吴克跃 王海旭 秦朝建 秦水介 许丽 金峰 黄伟其
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 生物学
• 关键词: 氧化低维纳米结构 等离子体波 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 116-122
• 页数: 7页
• 分类号: Q471.1
• 字数: 4235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.021

摘要

用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光致发光(PL)峰,在硅锗合金上形成的多孔状结构于波长为725nm处有极强的PL峰,在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为760nm和866nm处也有较强的PL峰;这些结构表面都覆盖有氧化硅层,在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗品团簇,并用相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伟其	贵州大学贵州光电子技术与应用重点实验室	40	77	5.0	6.0
2	刘世荣	中国科学院地球化学研究所	38	338	10.0	17.0
3	许丽	贵州大学贵州光电子技术与应用重点实验室	11	49	5.0	6.0
4	吴克跃	贵州大学贵州光电子技术与应用重点实验室	6	19	2.0	4.0
5	金峰	贵州大学贵州光电子技术与应用重点实验室	3	15	2.0	3.0
6	王海旭	贵州大学贵州光电子技术与应用重点实验室	8	29	3.0	5.0
7	秦朝建	中国科学院地球化学研究所	30	225	8.0	14.0
8	秦水介		1	5	1.0	1.0