硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响

• 作者: 刘绪伟 卢景霄 杨仕娥 杨根 赵剑涛 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅薄膜 硅烷浓度 晶化率 Raman散射谱
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: O484|TB43
• 字数: 2965字
• 语种: 中文

摘要

采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响.研究结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率、平均晶粒尺寸、晶化率和电导率均呈现相似的变化规律,而谱中出现的拐点由硅烷浓度决定.该变化规律可通过相应的薄膜生长的微观理论得到合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学材料物理教育部重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	刘绪伟	郑州大学材料物理教育部重点实验室	10	49	4.0	6.0
3	赵剑涛	郑州大学材料物理教育部重点实验室	12	64	5.0	7.0
4	陈永生	郑州大学材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
5	杨仕娥	郑州大学材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
6	杨根	郑州大学材料物理教育部重点实验室	7	39	4.0	6.0