掺Al富Si/SiO2薄膜制备及紫外发光特性研究

• 作者: 王国立 郭亨群
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅/二氧化硅 铝掺杂 紫外光致发光 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 109-112
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 3093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.005

摘要

采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si/SiO2复合薄膜,以不同退火温度对样品进行热处理.对样品进行X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(FTIR)、光致发光(PL)和光致发光激发谱(PLE)检测.结果表明SiO2薄膜中存在纳米Si晶粒,并且含有AlOx成分.室温下,可以观察到位于3.24～3.42 eV的较强紫外光致发光,其发光强度随退火温度和Al含量的变化而变化.分析表明该发光带与SiO2中的氧空位缺陷有关,缺陷分布与纳米Si的形成以及不同Al含量的氧化有关,从而影响薄膜发光强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭亨群	华侨大学信息科学与工程学院	40	180	8.0	11.0
2	王国立	华侨大学信息科学与工程学院	8	22	3.0	4.0