氢离子注入对La2/3Sr1/3MnO3薄膜性能影响的研究

• 作者: 伍展文 孙小松 李洁 郑东宁 阳运国 黎松林
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 庞磁阻 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: O51
• 字数: 2278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.01.003

摘要

利用脉冲激光沉积(PLD),制备了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)薄膜.然后在120 keV的能量下,进行了不同剂量(1.0×1012 ion/cm2～1.0×1017 ion/cm2)的H2+离子对LSMO薄膜的注入研究.随着注入剂量的增加,膜的电阻逐渐变大,其Tp转变温度往低温方向变化.当剂量大于等于3.0×1016 ion/cm2时,LSMO薄膜具有了类似半导体的导电行为.X射线衍射(XRD)分析发现:特征峰的位置随着剂量的增加而往低的角度偏移,并且当剂量增加到一定程度时,出现双峰现象.最后研究了LSMO薄膜其磁阻(MR)随温度和磁场的变化关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑东宁	中国科学院物理研究所超导国家重点实验室	15	116	5.0	10.0
2	李洁	中国科学院物理研究所超导国家重点实验室	55	546	12.0	21.0
3	黎松林	中国科学院物理研究所超导国家重点实验室	3	9	2.0	3.0
4	孙小松	四川大学材料科学与工程学院	9	77	4.0	8.0
5	伍展文	四川大学材料科学与工程学院	2	5	2.0	2.0
9	阳运国	中国科学院物理研究所超导国家重点实验室	1	2	1.0	1.0