全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性

• 作者: 张波 成建兵 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS全耗尽型浮空埋层 RESURF REBULF 击穿电压
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 344-347
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.029

摘要

提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压的影响.借助二维仿真软件MEDICI,该新结构的击穿电压由传统LDMOS的585.8V提高到886.9V,提高了51.4%.