碲欠电位沉积于金衬底上碲离子浓度和扫描速率对欠电位的影响

• 作者: 周东祥 朱文 杨君友 段兴凯 肖承京
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: 电化学原子层外延 欠电位沉积 碲 热电材料
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 633-636
• 页数: 4页
• 分类号: O646|TN377
• 字数: 2914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0518.2008.06.002

摘要

研究了碲欠电位沉积于金衬底表面体系中碲离子浓度和扫描速率等关键实验参数对碲欠电位沉积机制及其伏安特性的影响.结果表明,碲沉积在金表面的伏安特性依赖于使用的碲离子浓度,金属离子浓度的变化可能会影响到欠电位沉积过程的动力学机制.循环伏安实验结果表明,碲欠电位峰的电流与扫描速率的2/3次方呈线性关系.证实碲欠电位沉积于金衬底上遵循的是二维形核和生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨君友	华中科技大学模具技术国家重点实验室	48	463	10.0	20.0
2	朱文	华中科技大学模具技术国家重点实验室	48	401	10.0	18.0
3	周东祥	华中科技大学电子科学与技术系	161	1320	16.0	25.0
4	段兴凯	华中科技大学模具技术国家重点实验室	11	55	4.0	7.0
5	肖承京	华中科技大学模具技术国家重点实验室	6	27	3.0	5.0