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摘要:
闪络起始于阴极三结合点局部场强增强引起的电子发射,如何抑制局部场强过高对于提高沿面闪络电压有着至关重要的作用.本文分析了三结合点场强局部增强的原因,通过ANSYS软件对弯曲电极结构进行了仿真计算,得出该结构对三结合点的场强增强有抑制作用并且抑制的效果与弯曲的长度有关,并经过耐压测试对其进行了进一步的论证和分析.
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文献信息
篇名 真空中弯曲电极对沿面闪络耐压的影响
来源期刊 真空电子技术 学科 物理学
关键词 真空 弯曲电极 耐压
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 工艺与应用
研究方向 页码范围 39-43
页数 5页 分类号 O462
字数 2052字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8935.2008.02.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程焰林 中国工程物理研究院电子工程研究所 15 33 3.0 5.0
2 向伟 中国工程物理研究院电子工程研究所 29 105 6.0 8.0
3 雷杨俊 中国工程物理研究院电子工程研究所 15 65 4.0 7.0
4 罗永刚 中国工程物理研究院电子工程研究所 2 2 1.0 1.0
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耐压
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真空电子技术
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