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摘要:
为了制备光学性能良好的AlN薄膜.采用磁控反应溅射法制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用椭圆仪、分光光度计、傅立叶变换光谱仪对AlN薄膜进行了相关光学性能的分析.结果表明:在波长为400~1100nm时,AlN薄膜的折射率为2.0~2.4,透过率都在88%以上;在200~300nm远紫外光范围内,薄膜具有强烈的吸收;在红外吸收光谱中,677cm-1处存在1个强烈的吸收峰,说明薄膜中已经形成了AlN.
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文献信息
篇名 磁控反应溅射AlN薄膜光学性能研究
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 氮化铝薄膜 折射率 透过率 红外光谱 磁控反应溅射法
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 试验研究
研究方向 页码范围 17-18,31
页数 3页 分类号 TG174.444|O484.4
字数 1901字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-3660.2008.01.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱昌 西安工业大学光电工程学院 39 245 9.0 13.0
2 朱春燕 西安工业大学光电工程学院 18 60 3.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
氮化铝薄膜
折射率
透过率
红外光谱
磁控反应溅射法
研究起点
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期刊影响力
表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
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