纳米掺杂SnO2的计算研究

• 作者: 刘志勇 王吉会 窦富起 郑冀
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: 第一性原理 SnO2 电子结构 掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究·分析·实验
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TM201.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8887.2008.04.002

摘要

采用Castap软件计算了Co以不同比例掺杂SnO2的电子结构,分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用,建立了纯SnO2计算模型.计算结果表明:纯SnO2是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体;通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质,从而提高SnO2导电性.其中,掺杂比率为5%的价带到中间能级宽度最小,掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显,系统电子共有化程度最高,费米能级处对电子态密度的贡献也最大.因此掺杂比率为5%的导电性最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王吉会	天津大学材料科学与工程学院	54	714	15.0	24.0
2	刘志勇	天津大学材料科学与工程学院	6	91	5.0	6.0
3	郑冀	天津大学材料科学与工程学院	24	365	12.0	18.0
4	窦富起	天津大学材料科学与工程学院	3	28	3.0	3.0