一种12位125MS/s的SiGe BiCMOS采样保持放大器

• 作者: 朱樟明 杨海钢 杨银堂 潘杰
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 异质结晶体管 增益倍增技术 跨导运算放大器 采样保持放大器
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2573字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2008.04.011

摘要

提出了基于TSMC 0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应、低噪声等特性.采用共源共栅以及增益倍增技术的负载管,在3.3V单电源下,开环增益为92.2dB,单位增益频率为1.26GHz,相位裕度为61.1o(负载为550fF时),差分输出摆幅为3V,以此OTA为核心的采样保持放大器(SHA)的最大采样频率为125MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	朱樟明		9	95	4.0	9.0
3	杨海钢	中国科学院电子学研究所	134	485	10.0	15.0