半导体器件在辐射作用下的电学输出性能

• 作者: 宋宏涛 张华明 杨玉青 王关全 罗顺忠 胡睿 高晖 魏洪源
• 来源期刊: 同位素
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射伏特效应同位素电池 半导体器件 能量转换效率
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 198-203
• 页数: 6页
• 分类号: TM910.2
• 字数: 3805字
• 语种: 中文

摘要

半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件.本工作采用加速器产生的不同能量电子束和63Ni源的β射线对硅基PiN结型器件进行辐照,在线测量了其电学输出性能.结果表明,当电子束能量为18 keV时,能量转换效率＞4%;电子束能量为6 keV时,能量转换效率为0.16%～0.33%,活度为2.96×108Bq的63Ni源片辐照的能量转换效率约为0.1%.