三代半导体功率器件的特点与应用分析

• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 功率器件 雷达发射机
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 10-17
• 页数: 8页
• 分类号: TN72
• 字数: 9624字
• 语种: 中文

摘要

以Si双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献.近年来以SiC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点.人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题.文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨.