一种基于衬底偏置技术的低压低功耗运算放大器设计

• 作者: 潘敏 窦建华 郭铭铭
• 来源期刊: 仪表技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 低功耗 衬底偏置 运算放大器
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 1550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2394.2008.05.004

摘要

讨论衬底偏置MOS管的工作原理,对其低压特性进行了分析和仿真.并基于CMOS衬底偏置技术,设计了两级CMOS运算放大器.在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Smart Spice进行模拟验证.模拟结果表明在在1.0V的低电源电压下,失调电压为457.4μV,开环差模电压增益约为68dB,单位增益带宽为2.3MHz,相位裕量为67.4°,且其功耗仅有35μW,仿真结果显示了衬底偏置技术用于超低压模拟电路设计的优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	窦建华	合肥工业大学计算机与信息学院	51	268	10.0	13.0
2	潘敏	合肥工业大学计算机与信息学院	18	124	6.0	11.0
3	郭铭铭	合肥工业大学计算机与信息学院	11	37	4.0	5.0