基于平板夹具的电子束蒸发沉积薄膜中的挖坑效应分析

• 作者: 夏志林 杨芳芳 薛亦渝 赵元安 郭培涛 黄才华
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 厚度均匀性 挖坑效应 平板夹具
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN246
• 字数: 3846字
• 语种: 中文

摘要

电阻加热具有比较好的加热均匀性,可以认为对于非升华性材料,具有比较理想的平面源发射特性n=1.而电子束加热时,通常n=2～3,甚至可以为6,发射特性参数的范围大,没有取值指导理论或规律,具有很大的小确定性,这对分析薄膜均匀性非常不利于采用细分蒸发源为无数个小的面蒸发源的思想,建立了镀膜材料出现挖坑效应时薄膜厚度均匀性的分析模型.分析结果表明电子束蒸发方法很难获得理想的平而蒸发源,不同程度的挖坑效应将使得n值不同程度地偏离n=1,挖坑效应越明显,n值越大.可以从镀膜机结构设计及薄膜沉积工艺选取两方而着手,降低挖坑效应带来的影响.该研究对认识燕发源材料发射特性的物理含义具有重要意义,对实验工作同样具有指导性意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵元安	中国科学院上海光学精密机械研究所	47	315	11.0	15.0