MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

• 作者: 冯倩 岳远征 张进城 王冲 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 AIGaN/GaN 介质栅
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1557-1560
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+3
• 字数: 1733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.028

摘要

研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.