单分散SiO2微球的合成及胶体晶体的生长

• 作者: 于子龙 介万奇 闫晓红 陈福义
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2微球 胶体晶体 垂直沉积
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1926-1928
• 页数: 3页
• 分类号: TN204
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.11.046

摘要

对传统的"Stober-Fink"合成SiO2微球的工艺进行了改进,运用"籽晶生长法"合成了单分散SiO2微球,该法可以准确地控制微球尺寸,提高微球的球形度.采用垂直沉积法制备了胶体晶体,并对样品的结构和光学性能进行了表征.研究了微球尺寸对垂直沉积SiO2胶体晶体光子带隙的影响,结果表明,通过控制微球粒径,可调节光子晶体的带隙位置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	陈福义	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	37	110	5.0	8.0
3	闫晓红	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	5	15	2.0	3.0
4	于子龙	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	6	35	3.0	5.0