自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

• 作者: 刘召军 吴春亚 孟志国 熊绍珍 王文 赵淑云 郭海成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理PACC 7360F 8140G 8115H
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2009-2013
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.030

摘要

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究.制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊绍珍	南开大学光电子器件与技术研究所	63	380	12.0	18.0
2	吴春亚	南开大学光电子器件与技术研究所	26	305	9.0	17.0
3	郭海成	香港科技大学电子及计算机工程系	39	191	7.0	11.0
4	孟志国	南开大学光电子器件与技术研究所	26	145	6.0	11.0
6	王文	香港科技大学电子及计算机工程系	16	97	5.0	9.0
9	赵淑云	香港科技大学电子及计算机工程系	6	7	1.0	1.0
10	刘召军	南开大学光电子器件与技术研究所	4	4	1.0	1.0