In0.53Ga0.47AS/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应

• 作者: Chu Jun-Hao Gao Hong-Ling Guo Shao-Ling Shang Li-Yan Zhou Wen-Zheng 俞国林 曾一平 李东临 林铁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二维电子气 正磁电阻 子带散射
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5232-5236
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.08.089

摘要

在低温强磁场条件下,对In0.53 Ga0.47 As/In0.52AI0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的.